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博翎儀器特別關(guān)注:歐盟先進硅材料研究取得重大突破

更新時間:2012-05-08點擊次數(shù):2433

        歐盟第七研發(fā)框架計劃(FP7)信息通訊技術(shù)(ICT)主題資助850萬歐元的研發(fā)項目HELIOS“互補金屬氧化物半導(dǎo)體的光電子功能集成”,在近期的研究過程中取得了重大的創(chuàng)造性突破。由法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實驗室(CEA-Leti)科研人員領(lǐng)導(dǎo)的,歐盟成員國法國、英國和比利時科技人員共同參與的研究團隊,研發(fā)出世界上*個硅基材料可調(diào)諧發(fā)射器,從而邁出了整體集成硅基發(fā)射/接收器(Tranceivers)的關(guān)鍵一步。研究結(jié)果在近日美國洛杉磯舉行的“2012光纖通訊大會”上,正式對外宣布。

    硅光子學(xué)是一項功能強大的新興技術(shù)學(xué)科,硅光子學(xué)具備大規(guī)模制造互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOSs)光子器件的潛力,但光子器件制作目前因技術(shù)的缺乏而造價昂貴。此外,硅光子學(xué)的另一項重要障礙,是作為CMOSs基本材料的硅基光子源,制約了硅光子學(xué)的進一步發(fā)展。
    研究團隊的科研人員首先研制出一臺新型調(diào)節(jié)器,利用該調(diào)節(jié)器制作出單一波長的可調(diào)諧激光器,20攝氏度溫度下的臨界電流20mA,調(diào)諧幅度45nm,超過調(diào)諧范圍的側(cè)模壓抑率(Side Mode Suppression Ratio)大于40dB。然后,
科研人員將主動發(fā)光源必須的CMOS III-V型材料嵌入到一個硅晶片上,進行同時加工處理,如此,兩項加工一次性處理完成。盡管加工過程中仍然采用傳統(tǒng)的CMOS加工工藝,但新方法可以同時直接將主動發(fā)光源嵌入到硅晶片上。
    科研人員在硅基材料上集成可調(diào)諧激光器、調(diào)節(jié)器和被動波導(dǎo)的能力,開辟了進一步開發(fā)硅基發(fā)射/接收器的有效途徑,從而滿足各方面的需求:大城市群網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)接入、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機、以及光互聯(lián),實現(xiàn)光通訊的*變革。

 

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